產品訊息
電子業半導體材料正在從矽過渡到寬能隙 (WBG) 半導體，例如碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，因為它們在電動汽車和工業中的高功率應用中具有卓越的性能。由於工作電壓的提升，SiC 技術多數用在 EV 電動車車相關，GaN 主要用於筆記本電腦、移動設備和其他消費設備的快速充電器。
雙脈衝測試 (DPT) 是一種行業標準技術 (如:JEDEC 和 IEC)，用於在開啟、關閉和反向恢復期間測量一系列重要參數。
雙脈衝測試 (DPT)，待測物可以是功率元件或二極體，功率元件可以是 Si、SiC 或 GaN MOSFET 或 IGBT 等元件.
Tektronix 選購軟體寬能隙雙脈衝測試應用軟體(WBG-DPT) 可用於 MSO 4 / 5 / 5B / 6B 系列示波器，用以提供精確的寬能隙測量，使元件製造商和系統商更容易進行相關規格驗證。此軟體與所有太克 VPI 測棒兼容，並且可與太克 IsoVu™ 探頭一起使用，它有助於在發現 SiC 或 GaN 元件在電路中所有隱藏的問題。
此一軟體提供符合 JEDEC 和 IEC 標準的自動測量功能，並提供獨特的功能，例如每個週期的分析可帶有註釋、可靈活的設定參考電壓值、可依根據 DUT 的設計來設定預設功率。
WBG-DPT 選購軟體可節省設計人員的時間和成本。它可以快速設定並進行測量，讓設研發人員及測試工程師可以專注於調整並改進元件或電路效能。
此量測方案需要電源-點此連結查看Keithely 吉時利產品
點此連結查看日本製相關產品可同時顯示I-V, V-T波形；支援 Double sweep, Double pulse
主要效能規格
- 符合 JEDEC 和 IEC 標準的 13 項量測功能
- Switching Parameter: Eon, Eoff, Vpeak, Ipeak.
- Switching Time: Td(od), Td(off), Tr, Tf, Ton, Toff
- Diode Recovery: Trr, Qrr, Err
- 可測試 SiC 或 GaN 元件以及 Si MOSFET 和 IGBT元件
- 可指定第一個、第二個或多個想要量測的脈衝區域，進行量測並且在波形上標示相關的註釋
- 針對要量測的區域在波形上標上註釋
- 在多個脈衝訊號中可輕易的定位要量測的區域
- 獨特的邊緣細化算法可用來分析帶有雜訊的波形
- 所有測量和相關設定都可程式化，搭配自動化系統可達到完全自動化的量測
- 支援自動和自定義參考電壓，進行有效率且準確的識別開 / 關區域並進行量測
- 柵極電源上的遲滯壓設定置有助於避免邊緣錯誤
- 透過 Tektronix MSO 4 / 5 / 5B / 6B 系列示波器上直觀的拖放界面可做快速設定和並進行測量
此選購軟體是根據以下標準設計的：
- Double Pulse Test (DPT)
- IEC 60747-9
- JEP182
- IEC 60747-8
- Diode Reverse Recovery
- JESD24-10
- IEC 60747-9
可執行以下量測::
- Low side switching parameters and High side diode reverse recovery measurements.
- Low side and High side switching parameters.
參考量測範例:
